CKD Technology nu numai că are în stoc utilaje noi, disponibile imediat.
Avem, de asemenea, afaceri detaliate de închiriere, gata să vă satisfacă cerințele specifice de producție, reducând în același timp în mod semnificativ investiția inițială. Contactați-ne pentru mai multe detalii.
CKD are o echipă de ingineri profesioniști, gata să ofere servicii la cheie.
Pentru comercializarea mașinilor uzate, vă rugăm să ne contactați prin WhatsApp sau e-mail.
-----------------------------------------------------------------------------------
Seria MYS10iL este un sistem de procesare a plasmei în linie complet automatizat, dezvoltat pentru aplicații din diverse sectoare, inclusiv semiconductori, electronice, SMT, optoelectronice și tehnologie medicală.
• Sistem cu plasmă cu argon la presiune atmosferică
• Procesare cu plasmă în loturi în linie cu lățimea de 100 mm; oferă o eficiență de 2-5 ori mai mare și costuri de operare cu peste 30% mai mici în comparație cu metodele tradiționale
• plasma 100% neutra; sigur și delicat cu componentele electronice sensibile - fără bombardare cu plasmă, electricitate statică, scântei, arcuri, praf, temperaturi ridicate, ondulații de suprafață sau radiații UV
• Procese chimice versatile: proces O2 pentru îndepărtarea contaminanților organici; Proces H2 pentru îndepărtarea oxizilor metalici și activarea suprafețelor produsului
• Nu generează contaminare cu particule sau lichide pe produs
| Parametrii de bază | MYS10iL |
| Cerințe de putere | AC 200~240V, 4,5kW, 20A, 50/60Hz |
| Cerințe de presiune a aerului | 90 psi (6 bar) |
| Dimensiuni | 1000 x 1500 x 1550 mm |
| Greutate | 1050 kg |
| Certificare | CE |
| Precizia poziționării | XY: ±50µm @ 3σ; Z: ±10µm @ 3σ |
| Repetabilitate pe axa XYZ | XY: ±25µm @ 3σ; Z: ±5µm @ 3σ |
| Viteza maxima | 1000 mm/s (XY) |
| Accelerare | 1,0 g |
| Sistemul de acționare | servo AC |
| Parametrii platformei de lucru | |
| Tip transportor | centura |
| Capacitatea de încărcare a transportorului | 3 kg |
| Interval de grosime PCB (fără suport) | 0,5–6 mm |
| Deplasare pe axa Z | 60 mm |
| Max. Înălțimea componentei (partea superioară) | 45 mm |
| Max. Înălțimea componentei (partea inferioară) | 23 mm |
| Protocolul de comunicare | SMEMA |
| Interval de lucru | |
| Zona de tratament cu plasmă (L×D) | 550–760 mm |
| Unghiul de contact cu apa (WCA) după tratamentul cu plasmă | WCA < 10° (plachetă de silicon) WCA < 20° (materiale nemetalice) |
| Metoda de tratament cu plasma | Proces O2 pentru îndepărtarea contaminanților organici Proces H2 pentru îndepărtarea oxidului de metal |
| Cerințe pentru echipamentele sistemului cu plasmă | |
| Putere RF | 600 W la 27,12 MHz |
| Principalul gaz de plasmă | Argon |
| Gaz de proces | O2, N2 sau H2 |
| Gama de presiune de alimentare cu gaz | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Abordare
Etajul 5, clădirea 2, nr. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, provincia Guangdong, China.
Tel
