CKD Technology nu numai că are în stoc utilaje noi, disponibile imediat.
Avem, de asemenea, afaceri detaliate de închiriere, gata să vă satisfacă cerințele specifice de producție, reducând în același timp în mod semnificativ investiția inițială. Contactați-ne pentru mai multe detalii.
CKD are o echipă de ingineri profesioniști, gata să ofere servicii la cheie.
Pentru comercializarea mașinilor uzate, vă rugăm să ne contactați prin WhatsApp sau e-mail.
-----------------------------------------------------------------------------------
Seria MYS10 este un sistem de procesare a plasmei în linie complet automatizat, dezvoltat pentru aplicații în sectoare precum semiconductori, electronice, SMT, optoelectronice și tehnologia medicală.
• Sistem cu plasmă cu argon la presiune atmosferică
• Procesare în linie cu plasmă în loturi cu lățimea de 100 mm; oferă o eficiență de 2-5 ori mai mare și costuri de operare cu peste 30% mai mici în comparație cu metodele tradiționale
• plasma 100% neutra; sigur și delicat cu componentele electronice sensibile — nu generează bombardamente cu plasmă, electricitate statică, scântei, arcuri, praf, căldură ridicată, ondulații de suprafață sau radiații UV, asigurând zero daune ale produselor
• Platformă cu plasmă compactă care oferă flexibilitate și compatibilitate ridicate
• Procese chimice versatile: proces O2 pentru îndepărtarea contaminanților organici; Proces H2 pentru îndepărtarea oxizilor metalici și activarea suprafețelor produsului
• Fără generare de particule sau contaminanți lichizi
| Specificații de bază | MYS10 |
| Cerințe de putere | AC 200–240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Cerințe de presiune a aerului | 90 psi (6 bar) |
| Dimensiuni | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Greutate | 800 kg |
| Standarde de certificare | CE, SEMI S2 |
| Precizia poziționării | XY: ±30 um @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| Repetabilitate a axei XYZ | XY: ±15 um @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Viteza maxima | 1000 mm/s (XY) |
| Accelerare | 1,0 g |
| Sistemul de acționare | servo AC |
| Specificații platformei de lucru | |
| Tipul piesei | centura |
| Capacitatea de încărcare a șinei | 3 kg |
| Gama de grosime a substratului (fără suport) | 0,5–6 mm |
| Deplasare pe axa Z | 100 mm |
| Max. înălțimea componentei (partea superioară) | 26 mm |
| Max. înălțimea componentei (partea inferioară) | 23 mm |
| Protocol de comunicare | SMEMA |
| Raza de lucru | |
| Zona de tratament cu plasmă (L×D) | 350–475 mm |
| Unghiul de contact cu apa (WCA) după tratamentul cu plasmă | WCA < 10° (plachetă de silicon) WCA < 20° (Nemetalic) |
| Metoda de tratament cu plasma | Proces O2 pentru îndepărtarea contaminanților organici Proces H2 pentru îndepărtarea oxidului de metal |
| Cerințe de sistem cu plasmă | |
| Putere RF | 600 W la 27,12 MHz |
| Principalul gaz cu plasmă | Argon |
| Gaz de proces | O2, N2 sau H2 |
| Gama de presiune de alimentare cu gaz | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Abordare
Etajul 5, clădirea 2, nr. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, provincia Guangdong, China.
Tel
